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厂商型号

MPSA56_D26Z 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Transistor General Purpose

内部编号

3-MPSA56-D26Z

#1

期货
1 ¥1.674
25 ¥1.364
100 ¥1.209
250 ¥0.998
500 ¥0.868
1000 ¥0.763
2000 ¥0.657
5000 ¥0.552

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MPSA56_D26Z产品详细规格

规格书 MPSA56_D26Z datasheet 规格书
MPSA56, MMBTA56, PZTA56
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 200mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 100@10mA@1V|100@100mA@1V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 4
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 80
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 200mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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